高纯黄金靶材-磁控溅射镀膜材料-Au Target
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供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及PVD必备材料

产品名称:

高纯黄金及金基合金溅射靶材

牌号规格:

Au01Au1AuGe12AuGeNi11.5-5AuGeNi12-4Au80Sn20

用途备注:

金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAsGaPGaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。


高纯贵金属金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管(LED),    

军用和民用微波通信器件,航天、航空等重要领域用半导体化合物��及芯片太阳能电池等领域。

化学成分

序号

合金牌号

主成分

Au

Ge

Ni

Ga

Be

1

Au1

99.99





2

Au01

99.999

——

——

——

——

3

Au88Ge

88±0.5

余量

——

——

——

4

Au83.5GeNi

83.5±0.5

余量

5±0.4



备注:可按客户要求提供其它成分的产品。

外形尺寸(mm)

合金牌号

形状

规格

允许偏差

厚度

允许偏差

Au1Au01

圆形

100-250

±0.1

36

±0.2

方形

127×381

±1

36

±0.2

AuGe12Au83.5GeNi

圆形

100-250

±0.3

6

±0.5

方形

127×381

±1

6

±0.5

备注:可供其它规格和允许偏差的产品。













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