电子束蒸发贵金属颗粒
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高纯金基蒸发材料及合金颗粒、丝、线材

产品名称:

金基蒸发合金颗粒

牌号规格:

按照用户定制

用途备注:

高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。主要产品牌号有:高纯金Au01、纯金Au1、金锗AuGe2-12、金锗镍AuGe11.5Ni1-5、金铍AuBe1

情:

高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。主要产品牌号有:高纯金Au01、纯金Au1、金锗AuGe2-12、金锗镍AuGe11.5Ni1-5、金铍AuBe1-2.5、金镓AuGa1、金锡AuSn20AuSn80、金硅AuSi3等;高纯金及合金通常加工成规则颗粒(块、丝段、片)及不规则颗粒等规格(俗称蒸发源),或加工成圆形或方型溅射靶材(俗称靶材),使用真空蒸发或磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAsGaPGaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,如Ni/AuPt/AuCr/AuNi/Cr/AuNi/Pt/AuAu/AuBeAu/AuGeNi等多种金属化膜系统。大量应用于制造发光二极管(LED),军用和民用微波通信器件,航天、航空等重要领域用半导体化合物(GaAs等)芯片太阳能电池等。

化学成分:

序号

合金牌号

主成分

Au

Ge

Ni

Ga

Be

Sn

1

Au1

≥99.99






2

Au01

≥99.999

——

——

——



3

Au98Ge

98±0.3

余量

——

——



4

Au88Ge

88±0.5

余量

——

——



5

Au86.5GeNi

86.5±0.5

余量

2±0.3

——



6

Au86GeNi

86±0.5

余量

3±0.3

——



7

Au84GeNi

84±0.5

余量

4±0.4




8

Au83.5GeNi

83.5±0.5

余量

5±0.4




9

Au99Be

余量

——

——

——

1±0.1


10

Au99Ga

余量

——

——

1±0.1



11

Au80Sn

80±0.5





余量

注:经供需双方协商,可供其它成分的产品。

外形尺寸(mm)

合金牌号

形状

规格

允许偏差

Au1

线材

直径0.253.0

±0.05

Au01

线材

直径1.03.0

±0.1

Au01

片材

厚度0.20.5

±0.1

Au99Ga

线材

直径0.31.0

±0.02

AuGeAuGeNi

片材

厚度0.20.5

±0.1

Au99Be

不规则颗粒

颗粒单个重量为0.05g1.5g

——

Au1Au01

规则颗粒

2×5、¢3×4、¢3×6≠2×10×10

——

AuGe2

规则颗粒

≠0.6×6×6


AuGe2Au80Sn  AuGe12AuGe11-12Ni1-5Au99Be

规则颗粒

4×4、¢4×6

——

:经供需双方协商,可供其它规格和允许偏差的产品。