氧化铟锡靶材/ITO靶材/In2O3:SnO2=90/10wt%
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ITO 靶材

  ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。

    在氧化物导电膜中,以掺SnIn氧化物(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形.其中透光率达90%以上,ITO中其透光率和阻值分别由In2O3SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9. ITO多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。

    铟锡金属氧化物具有很好的导电性和透明性,还可以切断对人体有害的电子辐射,紫外线及远红外线。因此,喷涂在玻璃,塑料及电子显示屏上后,在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

电子产品生产商传统上会使用平面溅射靶材来制造平板显示屏,但仅有30%的 ITO在生产过程中可被利用,剩余的靶材则由回收处理。旋转溅射靶材的使用率则达到了85%,意味着产品一经广泛应用,可回收的材料将大大减少。

所谓ITO(氧化铟锡)是代表性透明导电薄膜材料的一种,为现在制造FPD (平面面板显示器) 的必要材料之一。由于是兼具透明及导电之一种原料, FPD 的运用上, LCD, PDP, 有机EL,TOUCH PANEL中被广泛使用,且是必用之材料之一。还有部分薄膜系太阳电池LED,TFT-LCD中也被使用。一般的ITO用溅镀法,以薄膜形式来被使用。膜的基本特性是,可视透光率90%以上, 阻抗率0.2mΩ-cm,耐久性也很优异,FPD用透明导电薄膜有90%以上是使用ITO

ITO 靶材主要性能指标

比例

In2O3/SnO2   90/10% , 配比可按用户要求

密度

>= 7.14 g/cm3 (理论密度 7.15g/cm)

相对密度

>= 98.5%g

纯度

99.99%

靶材厚度

2-100mm

靶材利用率

≥ 82 %

基板收集效率

60%

用功率

7-12 KW/m

ITO之用途(使用的设备)

ito-application.jpg

一般有TN、STN、IM、TP、OLED、电加热、抗电磁屏蔽等类型ITO透明导电玻璃,产品应用到手机、平板电脑、计算器、家用电器、工业控制、智能穿戴、超薄触控显示、压力传感(苹果force touch )等广阔领域。